Bridgelux и Toshiba заключили соглашение

Bridgelux Inc., ведущий разработчик и производитель технологий и решений в области светодиодного освещения, и Toshiba Corporation, ведущий в мире производитель электронных компонентов, 23 апреля 2013 года объявили о заключении соглашения, в соответствии с которым Bridgelux продает Toshiba технологию выращивания нитрида галлия GaN на кремниевой подложке, а также связанные с ней активы, при этом компании усилят и расширят свое стратегическое технологическое сотрудничество, используя расширенное лицензирование и партнерство в производстве.

Начиная с января 2012 Bridgelux и Toshiba объединили усилия по развитию передовой технологии выращивания GaN на кремнии. Успех этого взаимодействия был продемонстрирован анонсированием компанией Toshiba достижений мирового значения при создании 8-дюймовых GaN-on-Silicon пластин для LED кристаллов и начале массового производства белых светодиодов. Этот технологический прорыв не состоялся бы без инноваций в выращивании кристаллов и оборудовании для производства светодиодов от Bridgelux, а так же передовых компетенций в процессах обработки кремния и производственных технологиях Toshiba. Внедрение новейшей технологии в массовое производство позволит снизить стоимость светодиодных чипов на 70-75% процентов по сравнению с кристаллами, выращенными на основе сапфира или карбида кремния.

Расширенные стратегические отношения компаний предусматривают также новые формы взаимодействия и открывают возможности для сотрудничества при разработке светодиодных кристаллов следующего поколения и их корпусирования. Одним из перспективных направлений является создание схем драйвера светодиодов внутри кремниевого кристалла подложки.